奧氏體晶粒的長大是一個自發(fā)的過程。奧氏體的晶粒越細，則其總的表面積越大，表面能就越大。奧氏體由細晶粒長大成為粗晶粒的過程，實質(zhì)上是一個總的表面積減少、表面能降低的過程。任何物體在處于能量最低的狀態(tài)時，才是最穩(wěn)定的，就像水往低處流一樣，晶粒的長大完全是一個能量降低的自發(fā)現(xiàn)象。

影響奧氏體形成的因素主要有加熱條件、原始組織、碳含量和合金元素四個方面。它們都是通過對奧氏體的成核及核的長大速度的影響而起作用的。

(1)加熱溫度和保溫時間的影響。加熱溫度強烈地影響著奧氏體晶粒的長大。加熱溫度越高，鐵原子和碳原子的擴散能力就越強，晶粒長大越明顯。保溫時間越長，原子擴散越充分，為晶粒長大提供了更多的機會，使晶粒容易長大。在實際生產(chǎn)中，造成產(chǎn)品晶粒粗大的原因除原始組織不合格外，基本上都是由于加熱不當，尤其是加熱溫度過高而引起的。應嚴格控制加熱溫度，杜絕“跑溫”現(xiàn)象。

(2)加熱速度的影響。提高加熱速度，可以獲得細小的奧氏體晶粒。加熱速度越快，過熱度越大，奧氏體的成核量越多，晶粒就越細小。同時，加熱速度快時，奧氏體的晶粒沒有充分的時間長大。例如，高頻感應淬火時，由于加熱速度很快，零件表面在極短時間就達到淬火溫度，甚至超過正常的淬火溫度，快速冷卻后仍能得到合格的淬火組織，所以高頻感應淬火溫度比普通淬火溫度高些。

(3)碳含量的影響。碳鋼在加熱時，奧氏體溫度升高到Ac3或Accm線以上時，晶粒開始長大，隨著碳含量的增加，亞共析鋼奧氏體晶粒長大的傾向增加。在碳的質(zhì)量分數(shù)為0.8%~0.9%左右時，奧氏體晶粒長大的傾向最大。隨著碳含量的繼續(xù)增加，在Ac1和Accm之間存在著大量未溶的滲碳體質(zhì)點，這些質(zhì)點阻礙了奧氏體晶粒的長大。

(4)合金元素的影響。Mn和P是加速奧氏體晶粒長大的元素。Ti、Nb、V、Al、W、Mo、Cr、Si、Ni等元素能阻止奧氏體晶粒的長大，這是由于合金元素能與碳形成很難溶解的合金碳化物，如TiC、WC等，這些未溶的碳化物使奧氏體晶界的遷移變得十分困難，減少了奧氏體晶粒長大的傾向。Al、V、Nb、Ti的氧化物或氮化物質(zhì)點也具有阻礙奧氏體晶粒長大的作用。

在實際應用中，為了獲得良好的熱處理質(zhì)量，首先，在選材上以選擇優(yōu)質(zhì)碳素鋼或合金鋼為宜；其次，制訂合理的熱處理工藝；再次，操作上控制好加熱、保溫和冷卻三個環(huán)節(jié)。